低电阻SiC功率晶体管加入SemiSouth Laboratories公司JFET产品家族

SemiSouth Laboratories公司推出了一种低电阻1200 V碳化硅（SiC）功率晶体管。此种SJDP120R045 JFET产品是SemiSouth沟槽碳化硅JFET家族产品的第六种产品，于2008年首次发布。公司表示，该设备具有任何商业碳化硅晶体管的最低通态电阻。

最大的低通态电阻（RDS）是在一个相对较小的芯片面积上实现的，并导致低栅极电荷和固有电容效率、低损耗，高频率运行。

此产品具有正温度系数，易于并联，新型SJDP120R045 JFET产品还提供无尾电流快速开关——甚至在TO-247封装环境下可在高达175 °C的最高运行温度。该产品还有裸片形式（SJDC120R045）提供给模块合作伙伴。还可为JFET提供多种栅极驱动方案。